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MIT开发新nanoLED技术，未来可应用量子光源、AR/VR显示器

麻省理工学院（MIT）研究人员开发出一种方法，这项新技术能沉积卤化物钙钛矿纳米晶体（halide perovskite nanocrystals），并精确控制每个晶体的尺寸、数量和位置，进而整合到纳米级 LED （nano LED）。

研究人员展示了 CsPbBr3 纳米晶体的确定性阵列，可调尺寸至小于 50 纳米，位置精度小于 50 纳米。

卤化物钙钛矿是一系列材料，因为优异的光电特性及在高性能太阳能电池、LED 和雷射等器件中的潜在应用而备受关注。

卤化物过氧化物材料已主要应用于薄膜或微米尺寸的设备。如果能在纳米尺度精确整合这些材料，能带来更卓越的应用，如片上光源（on-chip light sources）、光感测器（PD）和忆阻器（memristors）。根据 MIT 官网，这些高密度 nano LED 阵列可用于片上光通讯和运算、量子光源、显微镜及 AR/VR 应用的高解析度显示器。

其一可能应用是直接在基板上大规模制造 Micro LED，这对 Micro LED 显示器可能产生重大影响，这项技术可用于在显示萤幕背板制造 LED，不需要转移制程。

不过，在纳米尺度上实现钙钛矿材料的整合上仍具挑战性，因为这种材料可能被传统制造和图像化技术破坏。

为了克服障碍，MIT 研究小组发明一种技术，可在需要的地方现场生长单个卤化物钙钛矿纳米晶体，并精确控制位置，尺寸小于 50 纳米，一张纸厚度为 10 万纳米。由于材料是局部生长，所以不需要可能造成损坏的传统微影步骤。